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光學名人
王圩

王圩是半導體光電子學專家。中國科學院院士。近年來指導研究生開展了DFB主振激光器與扇形結構光放大器的單片集成研究,并與香港中文大學合作,創新地提出了含扇形光柵的雙段DFB激光器,在國際上首次獲得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脈沖。他發表學術論文30余篇。先后獲國家科技成果獎。國家科技進步獎二等獎,國家“六五”科技攻關獎和863計劃“七五”攻關獎、中國科學院科技進步一等獎等。1997年當選中國科學院院士。

人物簡介

王圩1937年12月25日生,河北文安人。1960年畢業于北京大學物理系半導體專業,同年到中國科學院半導體研究所工作至今,現任中科院半導體研究所研究員。1987年赴日本東京工業大學訪問研究一年。60年代,他率先在國內研制成功無位借硅單晶;參與開拓并負責建立了Ⅲ—V族化合物外延方法,解決了高摻雜和結偏位等關鍵問題,為使我國GaAs激光器的工作溫度從77度K提高到室溫作出了貢獻:70年代,率先在國內研制成功單異質結室溫脈沖大功率激光器和面發射高亮度發光管,成功地應用在夜視、引信、打靶和精密測距儀上,并推廣到工廠生產,為后來室溫連續工作的短波長雙異質結激光器的發展打下了基礎。 80年代,他又率先在國內研制出室溫連續工作的1.55微米四元激光器,為國內第三代光纖通信研究提供了長波長光源。1987年在日本東京工業大學創新地提出了一種內島條形眼流結構的集束導波分布反射(BIG-KBR)激光器,獲得了當時先進水平的4兆赫線寬單縱橫輸出;隨后回國主持研制成功國內首批1.55微米動態單頻分布反饋(DFB)激光器,解決了國內發展第三代長途干線大容量光纖通信的急需。他在90年代,在國內首先研制成功應變量子階1.55微米DFB激光器,使中國光通信用激光器的研究和國際新一代能帶工程研究接軌;近年來指導研究生開展了DFB主振激光器與扇形結構光放大器的單片集成研究,并與香港中文大學合作,創新地提出了含扇形光柵的雙段DFB激光器,在國際上首次獲得峰值功率4瓦的3皮秒超短光脈沖。他發表學術論文30余篇。先后獲國家科技成果獎。國家科技進步獎二等獎,國家“六五”科技攻關獎和863計劃“七五”攻關獎、中國科學院科技進步一等獎等。1997年當選中國科學院院士。

目前負責在研的項目是:國家“973”項目:“新型量子阱功能材料和器件”(2001-2005)

國家自然基金重大項目:“光網絡用光放大器、電吸收調制器和模斑轉換器串接集成材料與器件的研究”(2002-2004)

研究內容

近十年來在應變量子阱激光器、電吸收調制器及其集成以及半導體光放大器等方面取得的主要成績:在國內首先研制成功應變量子阱1.55微米DFB激光器;隨后,指導研究生采用周期埋島結構,實現了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技術,研制成功2.5Gb/sEA-MD/DFB-LD單片集成模塊,并成功地在400公里標準光纖上進行了2.5Gb/s碼率的傳輸、采用應變漸變結構研制成功偏振不靈敏的寬帶1550nm波段半導體

光放大器以及電吸收調制器和模斑轉換器單片集成器件等。所負責的研究項目獲國家科技進步二等獎兩次;中國科學院科技進步一等獎一次、二等獎兩次。目前負責在研的項目是:1.國家“973”項目:“新型量子阱功能材料和器件”(2001-2005)2.國家自然基金重大項目:“光網絡用光放大器、電吸收調制器和模斑轉換器串接集成材料與器件的研究”(2002-2004)

獻計獻策

王圩院士為半導體所的戰略發展獻計獻策,他的對半導體所的現狀、未來、危機,表達了自己的看法,并提出了許多很好的建議,他們的建議對半導體所的發展提供了科學依據。 按照科學院新時期的辦院方針,研究所應面向國家戰略需求,面向世界科技前沿,加強原始性創新,加強關鍵技術集成,攀登世界科學高峰,為經濟發展、國家安全、社會進步做出基礎性、戰略性、前瞻性的創新貢獻。為了更好地為我國做出具有三性的創新貢獻,同時發揮半導體所兩院院士的聰明才智,經廣泛征求意見、所務會討論通過,于今年2月成立了《半導體所發展戰略研究會》。

研究會為常設機構,由半導體所的兩院院士組成,同時設秘書長一名(從院士中產生),研究所將為其配備學術秘書和行政秘書。研究會的職責為:經過充分的調研,定期或不定期為研究所提出戰略發展規劃、建議或意見。

院士分別做的報告是:《對中國科學院半導體研究所戰略規劃建議》(陳良惠院士);《未來信息科學研究的機遇與挑戰(工作匯報與對電子所未來科學研究工作方法的思考)》;(王守覺院士);《5-10年內半導體光電子器件研究的戰略發展設想》(王圩院士);《中國科學院半導體研究所研究發展建議》(夏建白院士);《對所戰略發展規劃的若干建議》(王啟明院士);《關于"我們想做、會做與國家需要做什么?"的思考——重視系統應用技術對提升研究所戰略地位的作用》(鄭厚植院士);《半導體所發展方向建議》(王占國院士);《對制定半導體所戰略發展計劃的幾點建議》(梁駿吾院士)。

王圩在國際經濟激烈的競爭中,在半導體科學領域,在社會主義市場經濟的大環境下,半導體所人已經清醒的認識到:如不能圍繞國家現代化建設、國家安全和社會發展的需求,做出受到國家和社會公眾認可的重要貢獻,就會危及自身存在的價值。如何提升半導體所的科技創新水平和能力?如何發展半導體所新的生長點,發展新的關鍵技術,注重技術集成?如何發揮現有的綜合優勢,擴大研究領域,注重學科交叉?如何提升半導體所的戰略地位?如何作出原始性創新的成果?國家的需要就是半導體所的需要,國家的任務就是半導體所的任務,作為國家級的研究所必須與時俱進,不斷創新,才能在競爭中立于不敗之地。這些戰略性的思考和建議正是出自半導體所的院士們在半導體所發展戰略報告會上的發言。

代表論著

W.Qiu,王圩J.Dong,J.Dong,F.ZhoJ.Y.ZhangH.L.Zhu,andL.J.Zhao,“Selective-area MOCVD growth for distributed feedback lasers in tegrated with vertically tapered self-aligned waveguide”J.CrystalGrowth Vol.250 No.3-4 pp583-587 2003 

王圩,H.L.Zhu,F.Zhou,B.J.Wang,J.Y.Zhang,L.J.Zhao,Tunable DBR Laser Fabricated by Bundle In tegrated Guide”(inEnglish),Chinese Journal of Semiconductor Vol.24 No.2 PP113-116 2003

W.Qui,王圩,J.Dong,J.Y.Zhang,H.L.Zhu,F.Zhou,“Spotsize Converter Integrated DFB Laser Diode Using Selective Area Growth MOCVD”(inEnglish),Chinese Journal of Semiconductor,Vol.23,No.5,pp459-463,May 2002

王圩 R.Y.Zhang J.Dong Z.W.Feng F.Zhou“Polarization-insensitivese miconductor optical amplifier with graded tensile bulk-like actives tructure”OECC2002 (invitedpaper) 2002.7 Japan.

G..L.Liu,王圩,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,X.J.Zhang,“Self-aligned Coupled Waveguide DBR Lasers”(inEnglish),ChineseJ.Lasers,Vol.B11,No.2,pp87-90,2002

Y.Sun,王圩,W.X.Chen,G.L.Liu,F.Zhou,H.L.Zhu,“High Extinction Ratio Polarization IndependentEA-Modulator”(inEnglish) Chinese J.Semi conductors Vol.22 No.11 pp1374-1376,2001

王圩,G.L.Liu,H.L.Zhu,J.Y.Zhang,“High Speed DFB Laser and EMLs”Proc.SPIE Vol.4850 pp26-34 2001

B.Chen,W.Wang,X.J.Wang,J.Y.Zhang,F.Zhou,“A Novel1.3-mm High T0Al GaInAs/InP Strained Multi-Quantum Well Complex-Coupled DFB Laser Diode”JpnJ.Appl.Phys.Vol.38 pp5096-5100,1999

王圩,J.Y.Zhang,H.L.Tian,Y.B.Miao,X.J.Wang,C.L.M.Wang,J.H.Gao,H.H.Gao,“1.5mm InGaAsP/InP RW-DFB Laser”International J.Optoelectronics,Vol.7,No.1,pp63-69,1992

王圩 M.T.Pang K.Komori K.S.Lee,S.Arai Y.Suematsu “A Modified 1.5mmGaInAsP/InP BIG-DBR Laser with an Inner Is land Substrate”JpnJ.Appl.Phys. Vol.27 No.7,ppL1313-L1316,1988


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